بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

چکیده ای از مقدمه آغازین ” پایان نامه بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی ” بدین شرح است:
با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده¬ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه¬ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می¬رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود ….

دیدگاه‌ها

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.